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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

SCI/SCIE
期刊ISSN:0018-9383
大类研究方向:工程技术
影响因子:2.704
数据库类型:SCI/SCIE
是否OA:No
出版地:UNITED STATES
年文章数:759
小类研究方向:工程技术-工程:电子与电气
审稿速度:约4.7个月
平均录用比例:较易

官方网站:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16

投稿网址:https://mc.manuscriptcentral.com/ted

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 英文简介

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects.

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 中文简介

IEEE《电子器件学报》发表了有关电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性方面的原创和重大贡献。

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 中科院分区

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES JCR分区

JCR分区等级 JCR所属学科 分区 影响因子
Q2 PHYSICS, APPLIED Q2 3.221
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q2

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